$V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોન માટે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનું પ્રાયોગિક મૂલ્ય શું છે?

ઇલેક્ટ્રોનને $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા અને પ્રોટોનને $4V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોન માટે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ અનુક્રમે $\lambda_e$ અને $\lambda_p$ છે. $\frac{\lambda_e}{\lambda_p}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય? (અહીં $m_e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $m_p$ એ પ્રોટોનનું દળ છે).

એક પ્રોટોનને $100 \ V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. સમાન દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ મેળવવા માટે,બે વાર આયનીકૃત $_4^8 Be$ ન્યુક્લિયસ પર કેટલો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ પાડવો જોઈએ ($V$ માં)?

એક ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં $2$ ગણો વધારો કરવામાં આવે છે,તો તેની સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલા અવયવથી બદલાશે?

$200 \ eV$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈની ગણતરી કરો. [ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 1 \times 10^{-30} \ kg$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$,પ્લાન્કનો અચળાંક $(h) = 6.6 \times 10^{-34} \ Js$].

જો ઇલેક્ટ્રોનનું વેગમાન $\Delta P$ જેટલું બદલાય,તો તેની સાથે સંકળાયેલી દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં $0.5\%$ નો ફેરફાર થાય છે. તો ઇલેક્ટ્રોનનું પ્રારંભિક વેગમાન કેટલું હશે?